
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.299988 | ¥18.30 |
| 10 | ¥16.41737 | ¥164.17 |
| 25 | ¥15.524003 | ¥388.10 |
| 100 | ¥12.418267 | ¥1241.83 |
| 250 | ¥11.728363 | ¥2932.09 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 70 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK12E80W,S1X
型号:TK12E80W,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.299988 |
| 10+: | ¥16.41737 |
| 25+: | ¥15.524003 |
| 100+: | ¥12.418267 |
| 250+: | ¥11.728363 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.30