货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.381035 | ¥22.38 |
10 | ¥20.078577 | ¥200.79 |
25 | ¥18.985982 | ¥474.65 |
100 | ¥15.187641 | ¥1518.76 |
250 | ¥14.343884 | ¥3585.97 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 70 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK12E80W,S1X
型号:TK12E80W,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.381035 |
10+: | ¥20.078577 |
25+: | ¥18.985982 |
100+: | ¥15.187641 |
250+: | ¥14.343884 |
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单价:¥0.00总价:¥22.38