RQ6E080AJTCR
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- 制造商编号：
- RQ6E080AJTCR
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- RQ6E080AJ IS LOW ON - RESISTANCE
- 渠道：
- digikey
库存 ：2926
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 16.2 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E080AJ
单位重量 97.700 mg
RQ6E080AJTCR 同类别型号
注
RQ6E080AJTCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RQ6E080AJTCR
数据手册PDF。
RQ6E080AJTCR
型号：RQ6E080AJTCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2926 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00