货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.534125 | ¥1602.37 |
6000 | ¥0.510689 | ¥3064.13 |
9000 | ¥0.441679 | ¥3975.11 |
30000 | ¥0.433386 | ¥13001.58 |
75000 | ¥0.358824 | ¥26911.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 190 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 410 mS
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.4 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS123N H6327 SP000870646
单位重量 8 mg
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0BSS123NH6327XTSA1
型号:BSS123NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.534125 |
6000+: | ¥0.510689 |
9000+: | ¥0.441679 |
30000+: | ¥0.433386 |
75000+: | ¥0.358824 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00