货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥42.998957 | ¥43.00 |
10 | ¥38.587858 | ¥385.88 |
25 | ¥36.484862 | ¥912.12 |
100 | ¥31.61906 | ¥3161.91 |
500 | ¥26.916607 | ¥13458.30 |
1000 | ¥24.322213 | ¥24322.21 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 26 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0SIHG15N60E-GE3
型号:SIHG15N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.998957 |
10+: | ¥38.587858 |
25+: | ¥36.484862 |
100+: | ¥31.61906 |
500+: | ¥26.916607 |
1000+: | ¥24.322213 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥43.00