
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥59.694194 | ¥59.69 |
| 10 | ¥53.929408 | ¥539.29 |
| 100 | ¥44.646113 | ¥4464.61 |
| 500 | ¥38.877233 | ¥19438.62 |
| 1000 | ¥37.623128 | ¥37623.13 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 47 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 152 nC
耗散功率 379 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 56 ns
上升时间 56 ns
典型关闭延迟时间 91 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHW47N60E-GE3
型号:SIHW47N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥59.694194 |
| 10+: | ¥53.929408 |
| 100+: | ¥44.646113 |
| 500+: | ¥38.877233 |
| 1000+: | ¥37.623128 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥59.69