ZXT11N15DFTA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 15 V

集电极—基极电压 40 V

发射极 - 基极电压 7.5 V

饱和电压 110 mV

最大直流电集电极电流 3 A

耗散功率 625 mW

增益带宽产品 145 MHz

集电极连续电流 3 A

直流集电极 200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 250 at 1 A, 2 V, 200 at 3 A, 2 V, 150 at 5 A, 2 V

直流电流增益（Max） 200 at 10 mA, 2 V

技术 Si

高度 1 mm

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 8 mg