货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.809936 | ¥2429.81 |
6000 | ¥0.745367 | ¥4472.20 |
15000 | ¥0.670788 | ¥10061.82 |
30000 | ¥0.660849 | ¥19825.47 |
75000 | ¥0.621091 | ¥46581.82 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 7 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.7 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 9.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28.1 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN2075UDW-7
型号:DMN2075UDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.809936 |
6000+: | ¥0.745367 |
15000+: | ¥0.670788 |
30000+: | ¥0.660849 |
75000+: | ¥0.621091 |
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