NSVS50030SB3T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.975273 | ￥3.98 |
| 10 | ￥3.478572 | ￥34.79 |
| 100 | ￥2.665266 | ￥266.53 |
| 500 | ￥2.106777 | ￥1053.39 |
| 1000 | ￥1.685424 | ￥1685.42 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 185 mV
最大直流电集电极电流 - 3 A
耗散功率 1.1 W
增益带宽产品 360 MHz
集电极连续电流 - 3 A
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 12.750 mg
NSVS50030SB3T1G 同类别型号
注
NSVS50030SB3T1G
型号：NSVS50030SB3T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.975273 |
| 10+： | ￥3.478572 |
| 100+： | ￥2.665266 |
| 500+： | ￥2.106777 |
| 1000+： | ￥1.685424 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.98