
货期: 8周-10周
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥0.345072 | ¥3.45 |
| 200 | ¥0.283453 | ¥56.69 |
| 1000 | ¥0.262914 | ¥262.91 |
| 2000 | ¥0.242374 | ¥484.75 |
| 4000 | ¥0.227997 | ¥911.99 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 400 ms
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUM002N05
单位重量 1.500 mg
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0RUM002N05T2L
型号:RUM002N05T2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥0.345072 |
| 200+: | ¥0.283453 |
| 1000+: | ¥0.262914 |
| 2000+: | ¥0.242374 |
| 4000+: | ¥0.227997 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00