CSD17309Q3
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- 制造商编号：
- CSD17309Q3
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.665001 | ￥6662.50 |
| 5000 | ￥2.538091 | ￥12690.45 |
| 12500 | ￥2.420952 | ￥30261.90 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导（Min） 67 S
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.2 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
规格参数
开发套件 DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 44.500 mg
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注
CSD17309Q3品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
CSD17309Q3
型号：CSD17309Q3
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.665001 |
| 5000+： | ￥2.538091 |
| 12500+： | ￥2.420952 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00