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制造商 Panasonic
商标 Panasonic
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 2.55 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 Single N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 64.190 mg
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0FK4B01110L1
型号:FK4B01110L1
品牌:PANASONIC
供货:锐单
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