货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.427075 | ¥1281.22 |
6000 | ¥0.408312 | ¥2449.87 |
9000 | ¥0.353176 | ¥3178.58 |
30000 | ¥0.346562 | ¥10396.86 |
75000 | ¥0.286969 | ¥21522.67 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 5.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 1 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.5 ns
正向跨导(Min) 65 mS
上升时间 16.2 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8.6 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS84P H6327 SP000929186
单位重量 8 mg
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0BSS84PH6327XTSA2
型号:BSS84PH6327XTSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.427075 |
6000+: | ¥0.408312 |
9000+: | ¥0.353176 |
30000+: | ¥0.346562 |
75000+: | ¥0.286969 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00