货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.154976 | ¥8.15 |
10 | ¥7.154137 | ¥71.54 |
25 | ¥6.721676 | ¥168.04 |
100 | ¥4.879393 | ¥487.94 |
250 | ¥4.705668 | ¥1176.42 |
500 | ¥4.076994 | ¥2038.50 |
1000 | ¥3.469819 | ¥3469.82 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 9.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 36.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 372.608 mg
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0TSM120N06LCR RLG
型号:TSM120N06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.154976 |
10+: | ¥7.154137 |
25+: | ¥6.721676 |
100+: | ¥4.879393 |
250+: | ¥4.705668 |
500+: | ¥4.076994 |
1000+: | ¥3.469819 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.15