
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.350295 | ¥9.35 |
| 10 | ¥8.202759 | ¥82.03 |
| 25 | ¥7.70691 | ¥192.67 |
| 100 | ¥5.594593 | ¥559.46 |
| 250 | ¥5.395403 | ¥1348.85 |
| 500 | ¥4.674581 | ¥2337.29 |
| 1000 | ¥3.97841 | ¥3978.41 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 9.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 36.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 372.608 mg
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0TSM120N06LCR RLG
型号:TSM120N06LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.350295 |
| 10+: | ¥8.202759 |
| 25+: | ¥7.70691 |
| 100+: | ¥5.594593 |
| 250+: | ¥5.395403 |
| 500+: | ¥4.674581 |
| 1000+: | ¥3.97841 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.35