货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.053104 | ¥28.05 |
10 | ¥23.567491 | ¥235.67 |
100 | ¥19.068178 | ¥1906.82 |
500 | ¥16.949556 | ¥8474.78 |
1000 | ¥14.512974 | ¥14512.97 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20.2 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 151 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R190E6 SP000797384
单位重量 6 g
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0IPW60R190E6FKSA1
型号:IPW60R190E6FKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.053104 |
10+: | ¥23.567491 |
100+: | ¥19.068178 |
500+: | ¥16.949556 |
1000+: | ¥14.512974 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.05