货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.559611 | ¥13.56 |
10 | ¥11.146249 | ¥111.46 |
100 | ¥8.664467 | ¥866.45 |
500 | ¥7.344334 | ¥3672.17 |
1000 | ¥5.982775 | ¥5982.78 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) 67 S
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.2 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
开发套件 DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 44.500 mg
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0CSD17309Q3
型号:CSD17309Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.559611 |
10+: | ¥11.146249 |
100+: | ¥8.664467 |
500+: | ¥7.344334 |
1000+: | ¥5.982775 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.56