
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.389502 | ¥1168.51 |
| 6000 | ¥0.372404 | ¥2234.42 |
| 9000 | ¥0.32205 | ¥2898.45 |
| 30000 | ¥0.316036 | ¥9481.08 |
| 75000 | ¥0.261673 | ¥19625.47 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.2 ns
正向跨导(Min) 4.9 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS816NW H6327 SP000917562
单位重量 6 mg
购物车
0BSS816NWH6327XTSA1
型号:BSS816NWH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.389502 |
| 6000+: | ¥0.372404 |
| 9000+: | ¥0.32205 |
| 30000+: | ¥0.316036 |
| 75000+: | ¥0.261673 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00