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SIA477EDJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIA477EDJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
渠道:
digikey

库存 :1794

货期:(7~10天)

起订量:1

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定价(含税)

数量 价格 总计
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规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 11.6 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 87 nC

耗散功率 19 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 45 ns

正向跨导(Min) 31 S

上升时间 28 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 74 ns

典型接通延迟时间 30 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 41 mg

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型号:SIA477EDJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

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