货期:国内(1~3工作日)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥0.784167 | ¥3.92 |
50 | ¥0.640668 | ¥32.03 |
150 | ¥0.568919 | ¥85.34 |
500 | ¥0.515106 | ¥257.55 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.2 ns
正向跨导(Min) 4.9 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS816NW H6327 SP000917562
单位重量 6 mg
购物车
0BSS816NWH6327XTSA1
型号:BSS816NWH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5+: | ¥0.784167 |
50+: | ¥0.640668 |
150+: | ¥0.568919 |
500+: | ¥0.515106 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00