货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2000 | ¥10.700159 | ¥21400.32 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD19N20-90-BE3
单位重量 330 mg
购物车
0SUD19N20-90-E3
型号:SUD19N20-90-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥10.700159 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00