TSM60NB041PW C1G
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- 制造商编号：
- TSM60NB041PW C1G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
- 渠道：
- digikey
库存 ：2544
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥160.998989 | ￥161.00 |
| 10 | ￥147.91396 | ￥1479.14 |
| 25 | ￥141.787843 | ￥3544.70 |
| 100 | ￥122.626122 | ￥12262.61 |
| 250 | ￥118.794271 | ￥29698.57 |
| 500 | ￥111.130076 | ￥55565.04 |
| 1000 | ￥101.933118 | ￥101933.12 |
| 2500 | ￥95.801812 | ￥239504.53 |
| 5000 | ￥91.969715 | ￥459848.57 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 78 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 139 nC
耗散功率 446 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 148 ns
上升时间 152 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 445 ns
典型接通延迟时间 107 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB041PW
单位重量 6 g
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注
TSM60NB041PW C1G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM60NB041PW C1G
数据手册PDF。
TSM60NB041PW C1G
型号：TSM60NB041PW C1G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：2544 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥160.998989 |
| 10+： | ￥147.91396 |
| 25+： | ￥141.787843 |
| 100+： | ￥122.626122 |
| 250+： | ￥118.794271 |
| 500+： | ￥111.130076 |
| 1000+： | ￥101.933118 |
| 2500+： | ￥95.801812 |
| 5000+： | ￥91.969715 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥161.00