
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥184.59749 | ¥184.60 |
| 10 | ¥169.594517 | ¥1695.95 |
| 25 | ¥162.570462 | ¥4064.26 |
| 100 | ¥140.600102 | ¥14060.01 |
| 250 | ¥136.206596 | ¥34051.65 |
| 500 | ¥127.419019 | ¥63709.51 |
| 1000 | ¥116.874013 | ¥116874.01 |
| 2500 | ¥109.844006 | ¥274610.01 |
| 5000 | ¥105.450219 | ¥527251.09 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 78 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 139 nC
耗散功率 446 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 148 ns
上升时间 152 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 445 ns
典型接通延迟时间 107 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB041PW
单位重量 6 g
购物车
0TSM60NB041PW C1G
型号:TSM60NB041PW C1G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥184.59749 |
| 10+: | ¥169.594517 |
| 25+: | ¥162.570462 |
| 100+: | ¥140.600102 |
| 250+: | ¥136.206596 |
| 500+: | ¥127.419019 |
| 1000+: | ¥116.874013 |
| 2500+: | ¥109.844006 |
| 5000+: | ¥105.450219 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥184.60