货期:(7~10天)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥0.790096 | ¥3.95 |
50 | ¥0.584964 | ¥29.25 |
150 | ¥0.547286 | ¥82.09 |
500 | ¥0.50961 | ¥254.81 |
2500 | ¥0.492864 | ¥1232.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.2 nC
耗散功率 770 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.3 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG3406L-13
型号:DMG3406L-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
5+: | ¥0.790096 |
50+: | ¥0.584964 |
150+: | ¥0.547286 |
500+: | ¥0.50961 |
2500+: | ¥0.492864 |
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