
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.198143 | ¥25.20 |
| 10 | ¥22.574952 | ¥225.75 |
| 100 | ¥18.147833 | ¥1814.78 |
| 500 | ¥14.910064 | ¥7455.03 |
| 1000 | ¥12.780111 | ¥12780.11 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 18.4 A
漏源电阻 7.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 67 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 54 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4190ADY-GE3
单位重量 187 mg
购物车
0SI4190ADY-T1-GE3
型号:SI4190ADY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.198143 |
| 10+: | ¥22.574952 |
| 100+: | ¥18.147833 |
| 500+: | ¥14.910064 |
| 1000+: | ¥12.780111 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.20