
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.541019 | ¥6352.55 |
| 5000 | ¥2.42003 | ¥12100.15 |
| 12500 | ¥2.308355 | ¥28854.44 |
| 25000 | ¥2.303933 | ¥57598.32 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 16.3 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD25N06S4L-30 SP001028636
单位重量 330 mg
购物车
0IPD25N06S4L30ATMA2
型号:IPD25N06S4L30ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.541019 |
| 5000+: | ¥2.42003 |
| 12500+: | ¥2.308355 |
| 25000+: | ¥2.303933 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00