货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.849998 | ¥4624.99 |
5000 | ¥1.752603 | ¥8763.01 |
12500 | ¥1.622768 | ¥20284.60 |
25000 | ¥1.596814 | ¥39920.35 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 11.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 0.75 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQD1N60CTM_NL
单位重量 330 mg
购物车
0FQD1N60CTM
型号:FQD1N60CTM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.849998 |
5000+: | ¥1.752603 |
12500+: | ¥1.622768 |
25000+: | ¥1.596814 |
货期:1-2天
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