FQD1N60CTM
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- 制造商编号：
- FQD1N60CTM
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.470958 | ￥8.47 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 11.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 0.75 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQD1N60CTM_NL
单位重量 330 mg
FQD1N60CTM 同类别型号
注
FQD1N60CTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQD1N60CTM
数据手册PDF。
FQD1N60CTM
型号：FQD1N60CTM
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.470958 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.47