BSB056N10NN3GXUMA1
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- 制造商编号：
- BSB056N10NN3GXUMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
- 渠道：
- digikey
库存 ：1429
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥58.13305 | ￥58.13 |
| 10 | ￥38.046551 | ￥380.47 |
| 100 | ￥26.663183 | ￥2666.32 |
| 500 | ￥21.800811 | ￥10900.41 |
| 1000 | ￥20.238715 | ￥20238.72 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSB056N10NN3GXUMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A (Ta), 83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.6mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
74nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5500pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 78W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
MG-WDSON-2, CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
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注
BSB056N10NN3GXUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、BSB056N10NN3GXUMA1
数据手册PDF
。
BSB056N10NN3GXUMA1
型号：BSB056N10NN3GXUMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1429 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥58.13305 |
| 10+： | ￥38.046551 |
| 100+： | ￥26.663183 |
| 500+： | ￥21.800811 |
| 1000+： | ￥20.238715 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥58.13