
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.465836 | ¥26.47 |
| 10 | ¥16.843287 | ¥168.43 |
| 100 | ¥11.29158 | ¥1129.16 |
| 500 | ¥8.909963 | ¥4454.98 |
| 1000 | ¥8.144135 | ¥8144.14 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.2 ns
上升时间 16.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 13.8 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44.400 mg
购物车
0CSD16340Q3
型号:CSD16340Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.465836 |
| 10+: | ¥16.843287 |
| 100+: | ¥11.29158 |
| 500+: | ¥8.909963 |
| 1000+: | ¥8.144135 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.47