SI3127DV-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI3127DV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
- 渠道：
- digikey
库存 ：38375
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.167665 | ￥11.17 |
| 10 | ￥6.94537 | ￥69.45 |
| 100 | ￥4.474716 | ￥447.47 |
| 500 | ￥3.405985 | ￥1702.99 |
| 1000 | ￥3.061164 | ￥3061.16 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 146 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SI3127DV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3127DV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI3127DV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3127DV-T1-GE3
型号：SI3127DV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：38375 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.167665 |
| 10+： | ￥6.94537 |
| 100+： | ￥4.474716 |
| 500+： | ￥3.405985 |
| 1000+： | ￥3.061164 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.17