
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ¥0.230458 | ¥2304.58 |
| 30000 | ¥0.216875 | ¥6506.25 |
| 50000 | ¥0.203349 | ¥10167.45 |
| 100000 | ¥0.180281 | ¥18028.10 |
| 250000 | ¥0.17624 | ¥44060.00 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 100 mW
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SSM3K35CT,L3F
型号:SSM3K35CT,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 10000+: | ¥0.230458 |
| 30000+: | ¥0.216875 |
| 50000+: | ¥0.203349 |
| 100000+: | ¥0.180281 |
| 250000+: | ¥0.17624 |
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