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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM110NB04CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM110NB04CR RLG
型号:TSM110NB04CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
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