
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.480111 | ¥6200.28 |
| 5000 | ¥2.36201 | ¥11810.05 |
| 12500 | ¥2.25299 | ¥28162.38 |
| 25000 | ¥2.248686 | ¥56217.15 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 15.6 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 140 ns
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 410 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FQD19N10LTM
型号:FQD19N10LTM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.480111 |
| 5000+: | ¥2.36201 |
| 12500+: | ¥2.25299 |
| 25000+: | ¥2.248686 |
货期:1-2天
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