货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.396837 | ¥13190.51 |
6000 | ¥3.997124 | ¥23982.74 |
15000 | ¥3.812642 | ¥57189.63 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17.8 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 97 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
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0SISH112DN-T1-GE3
型号:SISH112DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.396837 |
6000+: | ¥3.997124 |
15000+: | ¥3.812642 |
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