
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.352083 | ¥4.35 |
| 10 | ¥3.536067 | ¥35.36 |
| 100 | ¥1.872756 | ¥187.28 |
| 500 | ¥1.23164 | ¥615.82 |
| 1000 | ¥0.837504 | ¥837.50 |
| 2000 | ¥0.755495 | ¥1510.99 |
| 5000 | ¥0.656893 | ¥3284.46 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 100 mW
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SSM3K35CT,L3F
型号:SSM3K35CT,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.352083 |
| 10+: | ¥3.536067 |
| 100+: | ¥1.872756 |
| 500+: | ¥1.23164 |
| 1000+: | ¥0.837504 |
| 2000+: | ¥0.755495 |
| 5000+: | ¥0.656893 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.35