货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.795722 | ¥3.80 |
10 | ¥3.084025 | ¥30.84 |
100 | ¥1.633349 | ¥163.33 |
500 | ¥1.074191 | ¥537.10 |
1000 | ¥0.73044 | ¥730.44 |
2000 | ¥0.658914 | ¥1317.83 |
5000 | ¥0.572917 | ¥2864.59 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 100 mW
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SSM3K35CT,L3F
型号:SSM3K35CT,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.795722 |
10+: | ¥3.084025 |
100+: | ¥1.633349 |
500+: | ¥1.074191 |
1000+: | ¥0.73044 |
2000+: | ¥0.658914 |
5000+: | ¥0.572917 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.80