
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.158764 | ¥22.16 |
| 10 | ¥19.896116 | ¥198.96 |
| 100 | ¥16.303355 | ¥1630.34 |
| 500 | ¥13.878754 | ¥6939.38 |
| 1000 | ¥11.704973 | ¥11704.97 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 207 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 255 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK100E10N1,S1X
型号:TK100E10N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.158764 |
| 10+: | ¥19.896116 |
| 100+: | ¥16.303355 |
| 500+: | ¥13.878754 |
| 1000+: | ¥11.704973 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.16