SISH112DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISH112DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V PPAK 1212-8SH
- 渠道：
- digikey
库存 ：4050
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.117301 | ￥20.12 |
| 10 | ￥17.978067 | ￥179.78 |
| 25 | ￥17.057204 | ￥426.43 |
| 100 | ￥12.792904 | ￥1279.29 |
| 250 | ￥12.671066 | ￥3167.77 |
| 500 | ￥10.843508 | ￥5421.75 |
| 1000 | ￥8.833195 | ￥8833.19 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17.8 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 97 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISH112DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISH112DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISH112DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISH112DN-T1-GE3
型号：SISH112DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：4050 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.117301 |
| 10+： | ￥17.978067 |
| 25+： | ￥17.057204 |
| 100+： | ￥12.792904 |
| 250+： | ￥12.671066 |
| 500+： | ￥10.843508 |
| 1000+： | ￥8.833195 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.12