货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.990573 | ¥2.99 |
10 | ¥2.130784 | ¥21.31 |
100 | ¥1.075362 | ¥107.54 |
500 | ¥0.877734 | ¥438.87 |
1000 | ¥0.651198 | ¥651.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 119 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns
正向跨导(Min) 2.3 S
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5.8 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS316N H6327 SP000928948
单位重量 8 mg
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0BSS316NH6327XTSA1
型号:BSS316NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.990573 |
10+: | ¥2.130784 |
100+: | ¥1.075362 |
500+: | ¥0.877734 |
1000+: | ¥0.651198 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.99