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制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 620 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 310 pC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导(Min) 1.1 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934660487125
单位重量 0.447 mg
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0PMH600UNEH
型号:PMH600UNEH
品牌:Nexperia
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