货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.401094 | ¥10.40 |
10 | ¥9.187632 | ¥91.88 |
100 | ¥7.046164 | ¥704.62 |
500 | ¥5.569901 | ¥2784.95 |
1000 | ¥4.455828 | ¥4455.83 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 94 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 138 nC
耗散功率 65.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 62 S
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
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0SISS65DN-T1-GE3
型号:SISS65DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.401094 |
10+: | ¥9.187632 |
100+: | ¥7.046164 |
500+: | ¥5.569901 |
1000+: | ¥4.455828 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.40