货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.896589 | ¥14.90 |
10 | ¥13.343808 | ¥133.44 |
100 | ¥10.407414 | ¥1040.74 |
500 | ¥8.597857 | ¥4298.93 |
1000 | ¥6.787669 | ¥6787.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 58 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQJ858AEP-T1_BE3
单位重量 506.600 mg
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0SQJ858AEP-T1_GE3
型号:SQJ858AEP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.896589 |
10+: | ¥13.343808 |
100+: | ¥10.407414 |
500+: | ¥8.597857 |
1000+: | ¥6.787669 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.90