SISS65DN-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SISS65DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
- 渠道：
- digikey
库存 ：62480
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.547928 | ￥19.55 |
| 10 | ￥12.31974 | ￥123.20 |
| 100 | ￥8.134362 | ￥813.44 |
| 500 | ￥6.337166 | ￥3168.58 |
| 1000 | ￥5.758456 | ￥5758.46 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 94 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 138 nC
耗散功率 65.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 62 S
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISS65DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS65DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SISS65DN-T1-GE3、查询SISS65DN-T1-GE3代理商；
SISS65DN-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SISS65DN-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SISS65DN-T1-GE3
替代型号
、SISS65DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS65DN-T1-GE3
型号：SISS65DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：62480 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.547928 |
| 10+： | ￥12.31974 |
| 100+： | ￥8.134362 |
| 500+： | ￥6.337166 |
| 1000+： | ￥5.758456 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.55