SQJ858AEP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ858AEP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 58A
- 渠道：
- digikey
库存 ：5666
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.821574 | ￥26.82 |
| 10 | ￥17.047612 | ￥170.48 |
| 100 | ￥11.436296 | ￥1143.63 |
| 500 | ￥9.032658 | ￥4516.33 |
| 1000 | ￥8.259529 | ￥8259.53 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 58 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQJ858AEP-T1_BE3
单位重量 506.600 mg
SQJ858AEP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ858AEP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQJ858AEP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ858AEP-T1_GE3
型号：SQJ858AEP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5666 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.821574 |
| 10+： | ￥17.047612 |
| 100+： | ￥11.436296 |
| 500+： | ￥9.032658 |
| 1000+： | ￥8.259529 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.82