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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10000 | ¥0.859608 | ¥8596.08 |
30000 | ¥0.846855 | ¥25405.65 |
50000 | ¥0.79592 | ¥39796.00 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 510 mA
漏源电阻 990 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 500 pC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.4 ns
正向跨导(Min) 180 mS
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMN2990UFA-7B
型号:DMN2990UFA-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.859608 |
30000+: | ¥0.846855 |
50000+: | ¥0.79592 |
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