货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.845164 | ¥10.85 |
10 | ¥9.498457 | ¥94.98 |
100 | ¥7.281754 | ¥728.18 |
500 | ¥5.75628 | ¥2878.14 |
1000 | ¥4.605024 | ¥4605.02 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3460BDV-T1-BE3 SI3460BDV-E3
单位重量 20 mg
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0SI3460BDV-T1-E3
型号:SI3460BDV-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.845164 |
10+: | ¥9.498457 |
100+: | ¥7.281754 |
500+: | ¥5.75628 |
1000+: | ¥4.605024 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.85