
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.723403 | ¥21.72 |
| 10 | ¥15.252277 | ¥152.52 |
| 100 | ¥11.874441 | ¥1187.44 |
| 500 | ¥10.138099 | ¥5069.05 |
| 1000 | ¥9.451364 | ¥9451.36 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
开发套件 EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC123N08NS3 G SP000443916
单位重量 104.400 mg
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0BSC123N08NS3GATMA1
型号:BSC123N08NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.723403 |
| 10+: | ¥15.252277 |
| 100+: | ¥11.874441 |
| 500+: | ¥10.138099 |
| 1000+: | ¥9.451364 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.72