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DMN2300UFB4-7B

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2300UFB4-7B
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
渠道:
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:10

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10 0.445562 4.46
100 0.364911 36.49
300 0.324587 97.38
1000 0.294343 294.34
5000 0.270148 1350.74

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 1.3 A

漏源电阻 175 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 450 mV

栅极电荷 1.6 nC

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 13 ns

上升时间 2.8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 38 ns

典型接通延迟时间 3.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1 mg

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型号:DMN2300UFB4-7B

品牌:DIODES

供货:锐单

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单价:

10+: ¥0.445562
100+: ¥0.364911
300+: ¥0.324587
1000+: ¥0.294343
5000+: ¥0.270148

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