货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥0.445562 | ¥4.46 |
100 | ¥0.364911 | ¥36.49 |
300 | ¥0.324587 | ¥97.38 |
1000 | ¥0.294343 | ¥294.34 |
5000 | ¥0.270148 | ¥1350.74 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
购物车
0DMN2300UFB4-7B
型号:DMN2300UFB4-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥0.445562 |
100+: | ¥0.364911 |
300+: | ¥0.324587 |
1000+: | ¥0.294343 |
5000+: | ¥0.270148 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00