SI3460BDV-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI3460BDV-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：2288
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.4348 | ￥12.43 |
| 10 | ￥10.890698 | ￥108.91 |
| 100 | ￥8.349079 | ￥834.91 |
| 500 | ￥6.600009 | ￥3300.00 |
| 1000 | ￥5.280007 | ￥5280.01 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 22 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3460BDV-T1-BE3 SI3460BDV-E3
单位重量 20 mg
SI3460BDV-T1-E3 同类别型号
注
SI3460BDV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI3460BDV-T1-E3、查询SI3460BDV-T1-E3代理商；
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替代型号
、SI3460BDV-T1-E3
数据手册PDF。
SI3460BDV-T1-E3
型号：SI3460BDV-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2288 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.4348 |
| 10+： | ￥10.890698 |
| 100+： | ￥8.349079 |
| 500+： | ￥6.600009 |
| 1000+： | ￥5.280007 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.43