货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.358865 | ¥5.36 |
10 | ¥3.726282 | ¥37.26 |
100 | ¥1.884326 | ¥188.43 |
500 | ¥1.537372 | ¥768.69 |
1000 | ¥1.140691 | ¥1140.69 |
2000 | ¥0.959611 | ¥1919.22 |
5000 | ¥0.917488 | ¥4587.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
购物车
0DMN2300UFB4-7B
型号:DMN2300UFB4-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.358865 |
10+: | ¥3.726282 |
100+: | ¥1.884326 |
500+: | ¥1.537372 |
1000+: | ¥1.140691 |
2000+: | ¥0.959611 |
5000+: | ¥0.917488 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.36