
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.660323 | ¥5.66 |
| 10 | ¥3.442088 | ¥34.42 |
| 100 | ¥2.163161 | ¥216.32 |
| 500 | ¥1.606308 | ¥803.15 |
| 1000 | ¥1.357254 | ¥1357.25 |
| 2000 | ¥1.253993 | ¥2507.99 |
| 5000 | ¥1.109272 | ¥5546.36 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMN2300UFB4-7B
型号:DMN2300UFB4-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.660323 |
| 10+: | ¥3.442088 |
| 100+: | ¥2.163161 |
| 500+: | ¥1.606308 |
| 1000+: | ¥1.357254 |
| 2000+: | ¥1.253993 |
| 5000+: | ¥1.109272 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.66