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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 820 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32.3 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 26.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 37.5 ns
典型接通延迟时间 17.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.800 mg
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0DMP1096UCB4-7
型号:DMP1096UCB4-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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