
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.764694 | ¥2294.08 |
| 6000 | ¥0.71837 | ¥4310.22 |
| 15000 | ¥0.671992 | ¥10079.88 |
| 30000 | ¥0.61637 | ¥18491.10 |
| 75000 | ¥0.593237 | ¥44492.78 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.9 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 2.03 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 239 ns
上升时间 87 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 632 ns
典型接通延迟时间 56 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN2022UFDF-7
型号:DMN2022UFDF-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.764694 |
| 6000+: | ¥0.71837 |
| 15000+: | ¥0.671992 |
| 30000+: | ¥0.61637 |
| 75000+: | ¥0.593237 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00