货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥3.287041 | ¥8217.60 |
5000 | ¥3.130556 | ¥15652.78 |
12500 | ¥2.986065 | ¥37325.81 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 104 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 10.8 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44 mg
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0CSD25404Q3
型号:CSD25404Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.287041 |
5000+: | ¥3.130556 |
12500+: | ¥2.986065 |
货期:1-2天
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